去年底，Intel發(fā)布了新一代主流消費級SSD 670p，和前兩代660p、665p一樣都是QLC閃存顆粒，不過堆疊層數(shù)從64層、96層一路來到了144層，讓670p成為全球第一個144層QLC閃存，對行業(yè)來說有一定的里程碑意義。

視頻首先來看外觀，670p采用標準M.2 接口，長度為80mm，PCIe 3.0 x4協(xié)議，可以兼容標準桌面和筆記本平臺，且容量有三種選擇;

慧榮的主控制器，自帶第三代固件;

單面設計更加輕薄，更適合輕薄筆記本這樣的移動平臺;

由于144層QLC閃存的存儲密度大大增加，因此在1TB身上我們能看到其擁有兩顆芯片;中間的緩存芯片來自華邦;

在性能方面，官方宣稱順序讀寫最高可達3.5GB/s、2.7GB/s，對比上代660p分別提升了94%、50%，QD1和QD8的4K隨機讀寫比上代也分別提升了41%、55%。

另外670p還大大強化了固定和動態(tài)兩種緩存分配機制，比上代增大了11%，1TB容量的固定緩存為12GB，動態(tài)緩存最大可以有140GB，可以很好的提升日常性能。

670p 1TB的最大寫入量為370TBW，相當于每天0.2次全盤寫入，平均每天可以寫入200GB數(shù)據(jù)，這已經(jīng)大大超出了絕大多數(shù)用戶的日常需求，五年質保讓你在可靠性和安全性上也不必有任何憂慮。

功耗方面，670p的讀寫功耗和待機功耗相較于上代均有降低，而L1.2休眠狀態(tài)更是僅僅3毫瓦;只用上代一半的功耗，就達成了兩倍的性能，即便是使用移動端平臺進行辦公創(chuàng)作等場景，670p也能應對自如;

那么接下來通過一些常見基準測試軟件，來看看它的實際性能表現(xiàn)到底如何。

在CrystalDiskMark測試中，無論是1GB還是64GB數(shù)據(jù)包，670p的順序讀取速度都達到了標稱的3.5GB/s，順序寫入接近2.8GB/s，甚至略超官方指標;

AS SSD的測試壓力更重，但是順序讀取依然穩(wěn)穩(wěn)超過了3GB/s，順序寫入也在2.5GB/s左右，非常理想，幾乎達到了PCIe 3.0 x4帶寬的極限。即便是64線程高壓的4K隨機讀寫，也分別可以跑到最高850MB/s、1.3GB/s，頗為不俗。

ATTO測試中，即便是面對0.5KB的零碎小文件，讀取速度也差一點超過100MB/s，寫入速度則接近90MB/s，非常驚艷，要知道以往的SSD基本上都在20-30MB/s之間。16KB的時候，讀取速度已經(jīng)逼近2GB/s，寫入速度則超過1GB/s。256KB開始就完全穩(wěn)定下來，讀取在3GB/s左右，寫入在2.5GB/s左右，這和AS SSD測試是基本一致的。

HD Tune Pro測試來考察緩存外速度，測試文件體積選擇為1.5GB。可以看到，緩存內(nèi)傳輸速度基本穩(wěn)定在2GB/s左右，127GB左右之后速度明顯變化，這也正是670p 1TB版的緩存容量。

緩外速度大約在250MB/s，只有緩內(nèi)速度的八分之一，差距還是比較明顯的，但在日常應用中，我們幾乎不可能碰到一次用完接近130GB緩存的情況，所以緩外速度影響并不大。

溫度測試，我們把670p放在微星主板第一個M.2插槽上，用的是主板自帶的M.2散熱片。

待機溫度29度左右，在進行CrystalDiskMark的64GB性能測試時，最高溫度僅有46度，因此這款SSD的溫度基本上用不著擔心，即便在空間有限的輕薄本里也不是問題。

Intel SSD 600p系列一直在OEM筆記本、臺式機中應用廣泛，不過因為很多人對QLC閃存有一些誤解甚至歧視，該系列也一直存在一些爭議。

而670p系列可以說是扭轉了一些局面，首發(fā)全新的144層堆疊閃存，存儲密度增加50%，搭配新一代主控和固件，支持更大容量的動態(tài)緩存，并進一步優(yōu)化功耗，無論性能還是能效都有了一個十足的進步;

實際測試也驗證了它的性能指標所言非虛，無論順序讀寫還是隨機讀寫，都達到了同檔產(chǎn)品的較高水準，用在主流筆記本、臺式機中可謂絕配。

另外1TB的性能表現(xiàn)非常接近PCIe 3.0 SSD的頂級水準，順序讀取速度高達3500MB/s，達到了PCIe 3.0 x4所能提供帶寬的極限，同時59MB/s的4K隨機讀取速度可同樣可圈可點。

事實上，SSD的壽命除了和閃存顆粒有關之外，主控、容量也有很大影響，Intel 144層QLC閃存的最大優(yōu)勢恰恰就是高密度、大容量，因此足以保證高可靠性。

目前Intel 670p SSD已經(jīng)陸續(xù)上市，京東商城報價479元起，多家合作品牌的整機也都已預裝，感興趣的小伙伴們及時入手。