IBM三星開發(fā)VTFET芯片技術(shù):性能提升200%
目前半導(dǎo)體工藝已經(jīng)發(fā)展到了 5nm ,明年三星臺(tái)積電都在搶 3nm 工藝首發(fā),之后還會(huì)有 2nm 工藝,再之后的 1nm 節(jié)點(diǎn)又是個(gè)分水嶺了,需要全新的半導(dǎo)體技術(shù)。
IBM 、三星等公司上半年公布了全球首個(gè) 2nm 工藝芯片,現(xiàn)在雙方又在 IEDM 2021 會(huì)議上宣布了最新的合作成果, 推出了 VTFET (垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù) ,它與傳統(tǒng)晶體管的電流水平方向傳輸不同,是垂直方向傳輸?shù)模型M(jìn)軍1nm及以下工藝。
根據(jù) IBM 及三星的說(shuō)法, VTFET 技術(shù)有 2 個(gè)優(yōu)點(diǎn),一個(gè)是可以繞過(guò)現(xiàn)在技術(shù)的諸多性能限制,進(jìn)一步擴(kuò)展摩爾定律, 另一個(gè)就是性能大幅提升,采用 VTFET 技術(shù)的芯片速度可提升兩倍,或者降低 85% 的功耗。
這個(gè)技術(shù)要是量產(chǎn)了,那么芯片的能效比是大幅提升的, 智能手機(jī)充電一次可使用兩周, 不過(guò)三星及 IBM 依然沒(méi)有公布 VTFET 工藝的量產(chǎn)時(shí)間,所以還是要等——反正革命性的電池及革命性的芯片技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個(gè)就能讓手機(jī)續(xù)航質(zhì)變。
【來(lái)源:快科技】【作者:憲瑞】
2022-01-14 14:57:33
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