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據(jù)韓媒報(bào)道，有消息稱SK Siltron已開(kāi)始供應(yīng)新一代存儲(chǔ)器用晶圓給三星電子、SK海力士等，期望打破日本業(yè)者寡占局面，加速推動(dòng)韓國(guó)半導(dǎo)體材料自產(chǎn)化大業(yè)。報(bào)道稱，SK Siltron已于6月完成10nm級(jí)第四代(1a)DRAM的拋光晶圓開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)2022年下半起開(kāi)始供應(yīng)三星、SK海力士等。

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目前應(yīng)用最廣泛的硅晶圓，主要可分為拋光(polished)和磊晶(epitaxial)晶圓兩種。拋光晶圓是以高純度多晶硅加工制成，用于DRAM、NAND Flash等，磊晶晶圓則是將厚度幾微米(μm)的硅單晶層，蒸鍍到拋光晶片上，主要用于系統(tǒng)半導(dǎo)體。據(jù)悉SK Siltron此次開(kāi)發(fā)并量產(chǎn)的晶圓，主要是用于最新10nm級(jí)DRAM。

三星、SK海力士已在第四代(1a)DRAM導(dǎo)入極紫外光(EUV)制程。EUV是新一代曝光技術(shù)，采用荷蘭ASML獨(dú)家生產(chǎn)的設(shè)備。由于EUV與現(xiàn)有的光波長(zhǎng)，具有不同特性，因此須采用不同材料，而開(kāi)發(fā)1a DRAM晶圓的難度同樣很高。

據(jù)了解，SK Siltron加入供應(yīng)之前，只有日本勝高和信越化學(xué)能夠供應(yīng)，2021年下半量產(chǎn)1a DRAM的三星、SK 海力士，先前僅使用日本生產(chǎn)的晶圓。

相關(guān)人士表示，1a DRAM占比不斷提高的情況下，SK Siltron研發(fā)成功與量產(chǎn)，無(wú)疑幫助韓國(guó)實(shí)現(xiàn)材料供應(yīng)鏈多元化，從韓國(guó)國(guó)產(chǎn)化大業(yè)角度而言別具意義。SK海力士傳計(jì)劃2022年底前1a DRAM占比將提升至產(chǎn)量的4分之1左右。

另一方面，2021年SK Siltron的12英寸晶圓市占率約18%左右，排名業(yè)界第三，而勝高市占30%、信越化學(xué)市占25%，最近2~3年間SK Siltron正在大幅縮小落后差距。

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